注册资本207亿元！长江存储三期公司成立

9月8日，企查查APP显示，（9月5日），长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立，注册资本约207.2亿元，经营范围包含：集成电路制造；集成电路设计；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片及产品制造等。

这也是自2021年成立长存二期公司后，长江存储又一次大动作。

股权穿透显示，该公司由长江存储科技有限责任公司（50.1931%）、湖北长晟三期投资发展有限责任公司共同持股（49.8069%）。湖北长晟三期属于国有企业，成立于9月2日，只比长存三期早了3天，该公司注册资本151.2亿元，由光谷金控40%、江城基金40%、长江产投20%的比例共同持有。

其中，光谷金控是东湖高新区东湖高新区的国资平台、江城基金则是由武汉市委市政府基于加快构建“965”现代化产业体系而组建、而长江产业集团是由湖北省国资委全资控股。

长江存储与湖北国资的合作由来已久。目前，长江存储单一持股比例最高的大股东是湖北长晟发展有限责任公司，该公司在2023年初认缴出资300.69亿元，持股比例为26.5442%。

此前，长江存储二期于2020年6月20日，在武汉东湖高新区开工。2021年底，长江存储二期科技有限责任公司成立。彼时长存二期注册资本达到600亿，其中大基金二期出资180亿元、湖北长晟发展有限责任公司出资420亿元。2023年，大基金和湖北长晟发展有限责任公司退出，改由长江存储全资，认缴600亿元。之后，随着项目的投建，该公司已于2023年12月注销。

对比来看，此次三期与二期不同点在于，前期长江存储就参与了直接投入，且国家大基金并未再出手，减少了国资的直接投入。

长江存储作为中国第一家存储器晶圆厂，3D-NAND存储芯片龙头，尤其是Xtacking 3.0和Xtacking 4.0架构的推出，可让3D NAND的层数堆叠到232层，使得其能够与美光、三星和 SK 海力士等全球领导者进行竞争。

回顾长江存储公司创新历程。2014年，3D NAND闪存项目正式启动。2015年，9层3DNAND闪存测试芯片通过电气性能验证。2016年，第1代3DNAND闪存测试芯片设计完成，长江存储科技有限责任公司成立，长江存储仪器工厂破土动工。2017年，第1代3DNAND闪存设计完成，并实现首次流片，长江存储一期工程实现提前封顶。

2022年8月，长江存储全球首发布232层3D NAND芯片，工艺水平一时超过了存储行业的三巨头（三星、SK海力士、美光）成为当时的全球第一。也是这一年10月，美国禁止向中国出售先进的芯片制造设备，并在年底把长江存储列入了实体清单，使其不能从美国获得128层及以上的3D NAND的晶圆制造设备和技术。

到了第二年，2023年，美国甚至还促使日本和荷兰采取了半导体设备出口限制措施。这些限制，使得长江存储在高端产品上遭遇前所未有的挑战。尽管面临制裁和限制，长江存储依然积极推进产能扩张。

7月23日获悉，据Digitimes、Tom's Hardware等报道称，国产存储龙头长江存储（YMTC）在推动「全国产化」制造设备方面取得重大突破，首条全国产化的产线将于下半年导入试产，并力争到2026年底挑战全球NAND Flash供应量的15%。

报道还称，长江存储自2022年底被列入实体清单以来，不仅2024年底将月产能提升至13万片，预计在2025年增产至15万片的产能（WSPM），对应全球NAND Flash供应约8%。目标是在2026年底前占据15%的 NAND闪存市场份额，并为此建设了一条仅使用中国国产制造设备的试验生产线。

市场分析师指出，一旦长江存储这条该试验线获得成功，将有助于长江存储扩大量产规模，并朝向100%设备本土化迈进。市场评估，若长江存储能将月产量提升至20万片，将具备影响全球NAND Flash价格走势的话语权。

此次长存三期（武汉）集成电路有限责任公司的成立，意味着三期工程或已启动或者准备开建。一旦三期投产，这将进一步增加长江存储产能，助力其占据全球更大市场份额。与此同时，此举将直接利好国产存储产业，以及相关如半导体设备、工具等相关产业链供应商。